Thyristor / Diode Modules
Minimum Order: 0
Quality/Safety Certification: 0.00
1.Thyristor / Diode Modules.
2,GPP chips with Vacuum sintering technology.
3.Cross to semikron SKKT,SKKH,SKKD,SKNH series.
Features
Heat transfer through aluminium nitride ceramic isolated metal baseplate
Precious metal pressure contacts for high reliability
Thyristor with amplifying gate
Typical Applications
DC motor control
(e. G. For machine tools)
AC motor starters
Temperature control
(e. G. For ovens, chemical processes)
Professional light dimming
(studios, theaters)
Symbol | Conditions | Values | Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
I TAV | sin. 180; T c = 85 (100) °C; | 250 ( 178 ) | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
I D | P16/200F; T a = 35 °C; B2/B6 | 450 / 585 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
I RMS | P16/200F; T a = 35 °C; W1 / W3 | 566 / 3 * 471 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
I TSM | T vj = 25 °C; 10 ms | 9000 | A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T vj = 130 °C; 10 ms | 8000 | A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
i²t | T vj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms | 405000 | A²s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T vj = 130 °C; 8,3 ... 10 ms | 320000 | A²s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
V T | T vj = 25 °C; I T = 750 A | max. 1,4 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
V T(TO) | T vj = 130 °C | max. 0,925 | V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
r T | T vj = 130 °C | max. 0,45 | mOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
I DD ; I RD | T vj = 130 °C; V RD = V RRM ; V DD = V DRM | max. 50 | mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
t gd | T vj = 25 °C; I G = 1 A; di G /dt = 1 A/µs | 1 | µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
t gr | V D = 0,67 * V DRM | 2 | µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(di/dt) cr | T vj = 130 °C | max. 250 | A/µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(dv/dt) cr | T vj = 130 °C | max. 1000 | V/µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
t q | T vj = 130 °C , | 50 ... 150 | µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
I H | T vj = 25 °C; typ. / max. | 150 / 500 | mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
I L | T vj = 25 °C; R G = 33 Ohm; typ. / max. | 300 / 2000 | mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
V GT | T vj = 25 °C; d.c. | min. 3 |